- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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31 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 11... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 317... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 10... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 11... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 60... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 60... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 78... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 17... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 21... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 17... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 11... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 580... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 335... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 417... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 570... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 78... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 372... |
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