功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
APTM50SKM38TG Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 90A...
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APTM50SKM35TG Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A...
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APTM50DAM38TG Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 90A...
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APTM50DAM38CTG Microsemi Corporation
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APTM50DAM35TG Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 99A...
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