FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SQSA80ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 18A...
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SQS401ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16A...
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SQS401ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
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SQS423EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 16A...
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SQS423EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
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MOSFET P-CH 30V 16A...
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SQS481ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 4.7...
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MOSFET P-CH 150V 4.7...
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SQS481ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 4.7...
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SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16A
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SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16A
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SQS401EN-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 16A
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SQS484ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A...
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SQS484ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A...
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SQS484ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 16A...
¥2.60
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