功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
-
1 760 提交询价
SIS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
¥6.56
1 760 加入购物车 提交询价
SIS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A ...
¥2.46
3,000 580 加入购物车 提交询价
SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A...
-
1 105 提交询价
SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A...
¥10.75
1 105 加入购物车 提交询价
SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 30A...
¥4.41
3,000 580 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 6 条