功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SIA413ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
-
1 3,000 提交询价
SIA413ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
¥7.51
1 3,000 加入购物车 提交询价
SIA413ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
¥3.09
3,000 3,000 加入购物车 提交询价
SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
-
1 5,761 提交询价
SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
¥4.82
1 5,761 加入购物车 提交询价
SIA431DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
¥1.80
3,000 3,000 加入购物车 提交询价
SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
-
1 11,890 提交询价
SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
¥5.06
1 11,890 加入购物车 提交询价
SIA429DJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 12A...
¥1.73
3,000 9,000 加入购物车 提交询价
SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 29.7...
-
1 32,305 提交询价
SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 29.7...
¥5.61
1 32,305 加入购物车 提交询价
SIA437DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 29.7...
¥2.11
3,000 30,000 加入购物车 提交询价
SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
-
1 3,138 提交询价
SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
¥3.95
1 3,138 加入购物车 提交询价
SIA447DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
¥1.35
3,000 3,000 加入购物车 提交询价
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
-
1 19,065 提交询价
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
¥7.59
1 19,065 加入购物车 提交询价
SIA413DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A...
¥3.13
3,000 18,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 18 条