功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SIR864DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A...
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SIR798DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A...
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SIR646DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A...
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MOSFET N-CH 40V 60A...
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SIR646DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A...
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SIR808DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 20A...
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SIR172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A...
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SIR172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A...
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SIR172DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A...
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SI7794DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V P-P...
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SI7792DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V P-P...
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SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A...
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SIR644DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A...
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MOSFET N-CH 40V 60A...
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SI7860DP-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
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