- 供应商器件封装:
-
- 功率耗散(最大值):
-
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
-
18 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 20A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 20A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 20A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 28A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 28A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 25V 28A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 100V 11A... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 21A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 21A... |
|
1 | 3,860 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 21A... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 32A... |
-
|
1 | 11,832 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 32A... |
|
1 | 11,832 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 32A... |
|
4,000 | 8,000 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 85A... |
-
|
1 | 7,192 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 85A... |
|
1 | 7,192 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N CH 40V 85A... |
|
4,000 | 4,000 | 加入购物车 提交询价 |