零件状态:
供应商器件封装:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
EFC4612R-TR ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 6A ...
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SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V MIC...
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SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 8V MIC...
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SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix
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SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
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SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A...
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SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
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SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
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SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MI...
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MI...
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