功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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SISH434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 40V ...
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SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V PP...
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