晶体管 - FET，MOSFET - 单 - 集管汇电子

功率耗散（最大值）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	VMO650-01F	IXYS	MOSFET N-CH 100V 690...		¥1,507.88	1	1	加入购物车提交询价
	VMO550-01F	IXYS	MOSFET N-CH 100V 590...		¥1,294.43	2	580	加入购物车提交询价

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