功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
DMN63D8L-13 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 0.35...
¥0.22
10,000 580 加入购物车 提交询价
BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.1...
-
1 23,421 提交询价
BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.1...
¥3.08
1 23,421 加入购物车 提交询价
BSS123NH6433XTMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.1...
¥0.44
10,000 20,000 加入购物车 提交询价
BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.1...
-
1 62,021 提交询价
BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.1...
¥3.08
1 62,021 加入购物车 提交询价
BSS123NH6327XTSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.1...
¥0.56
3,000 60,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 7 条