- 品牌：
-
- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
17 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 0.0... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
|
10,000 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
-
|
1 | 28,911 | 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
|
1 | 28,911 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 200M... |
|
3,000 | 27,000 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 60M... |
-
|
1 | 114,235 | 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 60M... |
|
1 | 114,235 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 200V 60M... |
|
3,000 | 114,000 | 加入购物车 提交询价 |
