零件状态:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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CSD25303W1015 Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A ...
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CSD25301W1015 Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 2.2A...
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CSD13306W Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.5A
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MOSFET N-CH 12V 3.5A
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MOSFET N-CH 12V 3.5A
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CSD25211W1015 Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3.2A...
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CSD13306WT Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 6DS...
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