零件状态:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
TSM2N7000KCT A3G Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CHANNEL...
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TSM1NB60SCT A3G Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 600V 500...
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TSM1N45CT A3G Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET N-CH 450V 500...
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STQ2N62K3-AP STMicroelectronics
MOSFET N-CH 620V 2.2...
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