功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PMN35EN,115 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 5.1A...
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PMN35EN,125 Nexperia USA Inc.
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SI3460DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
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