晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

包装：

工作温度：

技术：

封装/外壳：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

7 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
AO6411	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	MOSFET P-CH 6TSOP	-	1	580	提交询价
PMN15UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 8A ...	-	1	580	提交询价
PMN15UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 8A ...	-	1	580	提交询价
PMN15UN,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 8A ...	-	1	580	提交询价
SQ3426AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7A ...	-	1	3,000	提交询价
SQ3426AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7A ...	¥5.22	1	3,000	加入购物车提交询价
SQ3426AEEV-T1_GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 60V 7A ...	¥1.95	3,000	580	加入购物车提交询价

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