零件状态:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
NDD60N745U1T4G ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.8...
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STD9NM60N STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6.5...
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STD9NM60N STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 6.5...
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STD9NM60N STMicroelectronics
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