功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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APT5016BFLLG Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 30A...
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APT15F60B Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 15A...
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APT5014BLLG Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A...
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