- 品牌：
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- STMicroelectronics (32)
- 系列：
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- 零件状态：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 20A... |
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30 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
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600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A... |
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600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 35A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 20A... |
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1 | 10 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 30A... |
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600 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 29A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 52A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 12A |
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1 | 145 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.... |
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1 | 18 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 65A... |
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1 | 45 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N CH 600V 45A... |
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1 | 97 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 84A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 21A... |
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1 | 56 | 加入购物车 提交询价 | ||
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 34A... |
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1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 35A... |
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1 | 53 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 27.... |
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1 | 95 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 24A... |
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1 | 274 | 加入购物车 提交询价 | ||
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Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 30A... |
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1 | 97 | 加入购物车 提交询价 |
