FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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DMN55D0UT-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 160M...
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DMN55D0UT-7 Diodes Incorporated
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DMN31D6UT-7 Diodes Incorporated
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DMN31D6UT-13 Diodes Incorporated
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SI1012-TP Micro Commercial Co
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SI3134KE-TP Micro Commercial Co
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SI3139KE-TP Micro Commercial Co
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SI3139KE-TP Micro Commercial Co
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DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 50V 160M...
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DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated
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