功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SUM70030E-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 100-V...
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SUM40012EL-GE3 Vishay Siliconix
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SQM50N04-4M1_GE3 Vishay Siliconix
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SUM70101EL-GE3 Vishay Siliconix
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