零件状态:
功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
GP2M002A065CG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 1.8...
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