功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
GP2M008A060PGH Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 7.5...
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GP2M005A060PGH Global Power Technologies Group
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GP2M005A050PG Global Power Technologies Group
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GP2M004A065PG Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 650V 4A...
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GP2M004A060PG Global Power Technologies Group
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MOSFET N-CH 25V 75A...
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PHU78NQ03LT,127 NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 75A...
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MOSFET N-CH 100V 10....
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PHU108NQ03LT,127 NXP USA Inc.
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