晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

2 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	PHU66NQ03LT,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 25V 66A...		-	1	580	提交询价
	STD50NH02L-1	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 24V 50A...		-	1	580	提交询价

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