功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
GP2M005A060PGH Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 600V 4.2...
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GP2M005A060PG Global Power Technologies Group
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FQU3N60CTU ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.4...
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STD3NM60-1 STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 3A...
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