- 品牌:
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- ON Semiconductor (1)
- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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4 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 4.2... |
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ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 2.4... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3A... |
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STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 5A... |
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