- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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33 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 41... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 17... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 24A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 19A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 18A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 16A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 19A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 38A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 20.... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 17A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 77A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 67A... |
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