- 品牌：
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- Diodes Incorporated (13)
- IXYS (15)
- Vishay Siliconix (3)
- 系列：
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- 包装：
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- 工作温度：
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- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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41 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.3... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO... |
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CHANNEL... |
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Diodes Incorporated | MOSFET NCH 600V 3A ... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 2A... |
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 600V 3A... |
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IXYS | MOSFET N-CH TO-251 |
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IXYS | MOSFET N-CH 100V 44A... |
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IXYS | MOSFET N-CH 600V 1.4... |
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IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.... |
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IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.... |
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IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2... |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 501V... |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH TO251 |
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