零件状态:
功率耗散(最大值):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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FCI25N60N ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 25A...
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STI30NM60N STMicroelectronics
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FCI25N60N-F102 ON Semiconductor
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