功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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BTS113AE3064NKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 11.5...
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BTS113ANKSA1 Infineon Technologies
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BTS115ANKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 50V 15.5...
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