功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
FET 功能:
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IPP65R660CFDAAKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO...
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SPP20N60CFDHKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO...
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MOSFET N-CH 650V TO...
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MOSFET N-CH 40V TO...
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IPP12CN10NGXKSA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A...
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IPP06CN10NGXKSA1 Infineon Technologies
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MOSFET N-CH 600V TO...
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MOSFET N-CH 600V TO...
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IPP65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies
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