- 品牌：
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- IXYS (1)
- 功率耗散（最大值）：
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- 漏源电压（Vdss）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
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51 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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Microsemi Corporation | POWER MOSFET - SI... |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 160A... |
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GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 160A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V S... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 100V 180... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 19... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 17... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 900V 33A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 26... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 20... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 26... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 52A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 45... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 57A... |
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Vishay Semiconductor Diodes Division | MOSFET N-CH 500V 38A... |
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