- 工作温度:
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- 封装/外壳:
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- 功率耗散(最大值):
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- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
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- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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42 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 18... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 84A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 60A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 45A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 84A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 32... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 300V 76A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 23... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 100... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 100... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 23... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 49A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 58A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 22... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 800V 38A... |
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Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 500V 67A... |
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