- 功率耗散(最大值):
-
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
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- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
17 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
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1 | 2,423 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
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1 | 2,447 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 75A... |
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1 | 1,897 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
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1 | 2,401 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
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1 | 2,076 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 86A... |
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1 | 6,150 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
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1 | 3,759 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
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1 | 5,577 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 50A... |
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1 | 14,810 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO252-3 |
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1 | 9,318 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A... |
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1 | 2,706 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A... |
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1 | 7,101 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A... |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 |
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1 | 42,416 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
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1 | 18,439 | 加入购物车 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 50A... |
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