- 功率耗散（最大值）：
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- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
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- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
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- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
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12 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
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1 | 580 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A... |
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1 | 1,337 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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1 | 2,297 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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1 | 5,371 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 30A... |
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1 | 3,084 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | N-CHANNEL_55/60V |
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1 | 3,245 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A... |
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1 | 3,181 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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1 | 2,933 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A... |
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1 | 6,089 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A... |
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1 | 8,791 | 提交询价 | ||
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A... |
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1 | 10,138 | 提交询价 |
