功率耗散(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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IPB65R065C7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
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IPB60R600C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 7.3...
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IPB60R600P6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
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