零件状态:
功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPB16CN10N G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A...
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IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A...
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IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A...
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IPB144N12N3GATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 56A...
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