功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
FQB10N20TM ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 10A...
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IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A...
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IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies
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IPB60R280P7ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET TO263-3
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