功率耗散(最大值):
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
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IPB65R310CFDAATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
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IPB65R310CFDATMA1 Infineon Technologies
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FQB50N06TM ON Semiconductor
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