漏源电压(Vdss):
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
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IPB65R600C6ATMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3...
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