晶体管 - FET，MOSFET - 单

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	HAT2267H-EL-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 80V 25A...		-	1	580	提交询价
	HAT2140H-EL-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 100V 25A...		-	1	580	提交询价

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