漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
PSMN165-200K,518 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 2.9...
-
1 580 提交询价
PSMN038-100K,518 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SO...
-
1 580 提交询价
PSMN005-30K,518 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 20A...
-
1 580 提交询价
PSMN085-150K,518 Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 3.5...
-
1 580 提交询价
1 / 1 页 共 4 条