零件状态:
功率耗散(最大值):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
Vgs(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
SI4888DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
-
1 580 提交询价
SI4888DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
-
1 580 提交询价
SI4888DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
-
1 580 提交询价
SI4888DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
-
1 580 提交询价
SI4874BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A...
¥7.51
2,500 580 加入购物车 提交询价
SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
-
1 2,500 提交询价
SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
¥13.52
1 2,500 加入购物车 提交询价
SI4386DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
¥3.86
2,500 2,500 加入购物车 提交询价
SI4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A...
-
1 4,042 提交询价
SI4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A...
¥9.41
1 4,042 加入购物车 提交询价
SI4874BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A...
¥3.86
2,500 2,500 加入购物车 提交询价
SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
-
1 5,964 提交询价
SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
¥9.41
1 5,964 加入购物车 提交询价
SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A...
¥3.86
2,500 5,000 加入购物车 提交询价
1 / 1 页 共 14 条