- 零件状态:
-
- 包装:
-
- 功率耗散(最大值):
-
- FET 类型:
-
- 漏源电压(Vdss):
-
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
-
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):
-
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):
-
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
-
- Vgs(最大值):
-
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
-
239 条记录
图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V TO... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 10A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 11A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | |||
Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 120A... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 |