晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

零件状态：

包装：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

5 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
TPCC8103(TE12L,QM)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 18A...	-	1	580	提交询价
TPCC8103(TE12L,QM)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 30V 18A...	¥9.72	1	151	加入购物车提交询价
TPN4R712MD,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 36A...	-	1	7,442	提交询价
TPN4R712MD,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 36A...	¥6.32	1	7,442	加入购物车提交询价
TPN4R712MD,L1Q	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 36A...	¥2.08	5,000	5,000	加入购物车提交询价

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