晶体管 - FET，MOSFET - 单 - 集管汇电子

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

已选条件：

3 条记录

图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IXFH28N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 28A...		-	1	580	提交询价
	IXFH26N55Q	IXYS	MOSFET N-CH 550V 26A...		-	1	580	提交询价
	IXFH21N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A...		-	1	580	提交询价

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