- 功率耗散（最大值）：
-
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
-
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
-
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
-
- Vgs（最大值）：
-
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
-
6 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 价格 | 起订量 | 库存 | 操作 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STMicroelectronics | SILICON CARBIDE ... |
-
|
1 | 580 | 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 45... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 20... |
|
1 | 580 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1.2KV T... |
|
1 | 594 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1200V 65... |
|
1 | 600 | 加入购物车 提交询价 | ||
|
|
STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1.2KV T... |
|
1 | 243 | 加入购物车 提交询价 |
