晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

功率耗散（最大值）：

漏源电压（Vdss）：

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

已选条件：

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图片	型号	品牌	描述	PDF	价格	起订量	库存	操作
	IXFB110N60P3	IXYS	MOSFET N-CH 600V 110...		¥144.12	1	5	加入购物车提交询价
	IXFB60N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 60A...		¥170.22	1	218	加入购物车提交询价

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