晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列：

包装：

功率耗散（最大值）：

FET 类型：

漏源电压（Vdss）：

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：

Vgs（最大值）：

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：

已选条件：

6 条记录

型号	品牌	描述	价格	起订量	库存	操作
SSM3J46CTB(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2A ...	-	1	5,126	提交询价
SSM3J46CTB(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2A ...	¥3.63	1	5,126	加入购物车提交询价
SSM3J46CTB(TPL3)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET P-CH 20V 2A ...	¥0.79	10,000	580	加入购物车提交询价
SSM3K59CTB,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 2A ...	-	1	10,552	提交询价
SSM3K59CTB,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 2A ...	¥3.63	1	10,552	加入购物车提交询价
SSM3K59CTB,L3F	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 40V 2A ...	¥0.79	10,000	10,000	加入购物车提交询价

1 / 1 页共 6 条