功率耗散(最大值):
FET 类型:
漏源电压(Vdss):
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):
图片 型号 品牌 描述 PDF 价格 起订量 库存 操作
IPU60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO...
-
1 580 提交询价
IPS20N03L G Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A...
-
1 580 提交询价
SPU08P06P Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.83...
-
1 580 提交询价
1 / 1 页 共 4 条